参数资料
型号: FQT7N10LTF
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
产品目录绘图: MOSFET SOT-223 Pkg
标准包装: 1
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 350 毫欧 @ 850mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 290pF @ 25V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223-3
包装: 标准包装
产品目录页面: 1604 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FQT7N10LTFDKR
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Same Type
V GS
12V
200nF
50K Ω
300nF
as DUT
5V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V GS
V DS
R L
V DD
V DS
90%
R G
5V
DUT
V GS
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
BV DSS - V DD
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2
I D (t)
10V
t p
DUT
V DD
t p
Time
V DS (t)
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQT7N10L Rev. C0
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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