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参数资料
| 型号： | FQT7N10LTF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 850mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 290pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FQT7N10LTFDKR |
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
+
V DS
_
I SD
L
Driver
R G
Same Type
as DUT
V DD
V GS
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
V GS
( Driver )
Gate Pulse Width
D = --------------------------
Gate Pulse Period
10V
I FM , Body Diode Forward Current
I SD
( DUT )
di/dt
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQT7N10L Rev. C0
V SD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V DD
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQT7N10TF | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 |
| FQU10N20CTU | MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK |
| FQU13N06LTU_WS | MOSFET N-CH 60V 11A IPAK |
| FQU1N80TU | MOSFET N-CH 800V 1A IPAK |
| FQU2N100TU | MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQT7N10LTF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET 100V 1.7A SOT-223 |
| FQT7N10LTF-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FQT7N10L Series 100 V 0.35 Ohm Surface Mount N-Channel Mosfet - SOT-223 |
| FQT7N10TF | 功能描述:MOSFET 100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQT7P06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET |
| FQT7P06TF | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 7/03 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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