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参数资料
| 型号： | FQU10N20CTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 70 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 360 毫欧 @ 3.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
10
10
150 C
1
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
1
o
10
10
25 C
-55 C
0
0
o
o
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
※ Notes :
10
10
10
10
10
-1
-1
0
2. T C = 25 ℃
1
-1
2
4
6
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
8
10
10
1.5
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
1
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
1.0
V GS = 10V
10
0.5
V GS = 20V
0
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
※ Note : T J = 25 ℃
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.0
0
5
10
15
20
25
30
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
1200
1000
800
600
400
200
※ Note ;
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
C iss
C oss
C rss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
6
4
2
V DS = 40V
V DS = 100V
V DS = 160V
※ Note : I D = 9.5A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
4
8
12
16
20
24
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD10N20C / FQU10N20C Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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