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参数资料
| 型号： | FQU10N20CTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 70 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 360 毫欧 @ 3.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
Mechanical Dimensions
TO-252 3L (DPAK)
Figure 16. TO252 (D-PAK), Molded, 3 Lead, Option AA&AB
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Dimension in Millimeters
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD10N20C / FQU10N20C Rev. C2
7
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FQU10N20LTU | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU10N20TU | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU10N20TU_AM002 | 功能描述:MOSFET 200V 7.6A 0.36Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU11P06 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P CH 60V 9.4A I-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, P CH, 60V, 9.4A, I-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -60V, 9.4A, IPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:9.4A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):185mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V ;RoHS Compliant: Yes |
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