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参数资料
| 型号： | FQU1N80TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 1A IPAK |
| 标准包装： | 5,040 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 195pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
1.2
(Continued)
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 0.5 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
10
10
1
0
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
100 μ s
1 ms
10 ms
1.0
0.8
10
1. T C = 25 C
-1
※ Notes :
o
DC
0.6
0.4
0.2
10
10
10
2. T J = 150 C
10
10
-2
0
1
o
3. Single Pulse
2
3
0.0
25
50
75
100
125
150
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
D = 0 .5
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
※ N o te s :
1 . Z θ J C ( t) = 2 .7 8 ℃ /W M a x .
2 . D u ty F a c to r , D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t)
10
-1
0 .0 2
0 .0 1
s i n g l e p u ls e
P DM
t 1
t 2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a t io n [ s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD1N80 / FQU1N80 Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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