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参数资料
| 型号： | FQU1N80TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 1A IPAK |
| 标准包装： | 5,040 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 195pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
DUT
+
V DS
_
I SD
L
Driver
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
V DD
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
V DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD1N80 / FQU1N80 Rev. C2
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU2N100TU | MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK |
| FQU2N60CTU | MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK |
| FQU2N90TU | MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK |
| FQU3N50CTU | MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK |
| FQU5N40TU | MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQU1P50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V P-Channel MOSFET |
| FQU1P50TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU20N06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
| FQU20N06_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
| FQU20N06L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V LOGIC N-Channel MOSFET |
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