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参数资料
| 型号： | FSAM30SH60A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SMART POWER MODULE 30A SPM32-AA |
| 产品培训模块： | Smart Power |
| 标准包装： | 8 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 30A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM32AA |
| 产品目录页面： | 1222 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FSAM30SH60A_NL FSAM30SH60A_NL-ND |
Integrated Power Functions
? 600V - 30 A IGBT inverter for three-phase DC / AC power conversion (please refer to Figure 3)
Integrated Drive, Protection and System Control Functions
? For inverter high-side IGBTs: gate drive circuit, high-voltage isolated high-speed level shifting
control circuit Under-Voltage Lock-Out (UVLO) Protection
Note) Available bootstrap circuit example is given in Figures 13 and 14.
? For inverter low-side IGBTs: gate drive circuit, Short-Circuit Protection (SCP)
control supply circuit Under-Voltage Lock-Out (UVLO) Protection
? Temperature Monitoring: system temperature monitoring using built-in thermistor
Note) Available temperature monitoring circuit is given in Figure 14.
? Fault signaling: corresponding to a SC fault (low-side IGBTs) and UV fault (low-side control supply)
? Input interface: active-LOW Interface, works with 3.3 / 5 V logic, Schmitt-trigger input
Pin Configuration
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
V CC(L)
com (L)
IN (UL)
IN (VL)
IN (WL)
com (L)
FO
C FOD
C SC
(24) V TH
(25) R TH
(26) N U
(27) N V
(28) N W
(10) R SC
(11) IN (UH)
(12) V CC(UH)
(29) U
Case Temperature (T C )
Detecting Point
(13) V B(U)
(14) V S(U)
(15) IN (VH)
(16) com (H)
(17) V CC(VH)
(18) V B(V)
(19) V S(V)
(20) IN (WH)
(21) V CC(WH)
(22) V B(W)
(23) V S(W)
Figure 2. Top View
(30) V
(31) W
(32) P
Ceramic Substrate
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FSAM30SH60A Rev. C8
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSAM30SM60A | SMART POWER MODULE 30A SPM32-AA |
| FSAM50SM60A | IC SMART PWR MODULE SPM32-CA |
| FSAM75SM60A | IC SMART PWR MODULE SPM32-CA |
| FSB32560 | MODULE SPM 600V 25A 27SPMBA |
| FSB50250S | IC SMART POWER MOD 2A SPM23-BA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSAM30SH60A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:POWER SUPPLY IC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Power Supply IC |
| FSAM30SH60A_03 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:SPMTM (Smart Power Module) |
| FSAM30SM60A | 功能描述:IGBT 模块 600V/30A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSAM30SM60SL | 功能描述:IGBT 模块 600V/30A Smart Power RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSAM50SM60A | 功能描述:IGBT 晶体管 600V -50A SMART POWER MODULE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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