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参数资料
| 型号： | FSAM30SH60A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SMART POWER MODULE 30A SPM32-AA |
| 产品培训模块： | Smart Power |
| 标准包装： | 8 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 30A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM32AA |
| 产品目录页面： | 1222 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FSAM30SH60A_NL FSAM30SH60A_NL-ND |
100
80
(1)
60
40
20
0
(2)
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
R SU ,R SV ,R SW [ ? ]
Figure 6. R SC Variation by Change of Shunt Resistors ( R SU , R SV , R SW ) for Short-Circuit Protection
(1) @ Current Trip Level ≒ 30 A
(2) @ Current Trip Level ≒ 45 A
Recommended Operating Conditions
Item
Supply Voltage
Control Supply Voltage
Symbol
V PN
V CC
Condition
Applied between P - N U , N V , N W
Applied between V CC(UH) , V CC(VH) , V CC(WH) -
Min.
-
13.5
Typ.
300
15.0
Max.
400
16.5
Unit
V
V
COM (H) , V CC(L) - COM (L)
High-side Bias Voltage
V BS
Applied between V B(U) - V S(U) , V B(V) - V S(V) ,
13.0
15.0
18.5
V
V B(W) - V S(W)
Blanking Time for Preventing
t dead
For Each Input Signal
3.0
-
-
? s
Arm-short
PWM Input Signal
f PWM
T C ? 100°C, T J ?? 125°C
-
15
-
kHz
Minimum Input Pulse Width
Input ON Threshold Voltage
PW IN(OFF) 200 ?? V PN ? 400 V, 13.5 ? V CC ? 16.5 V,
13.0 ? V BS ? 18.5 V, ????? I C ? 60 A,
-20 ? T J ? 125°C
V IN = 5 V ? 0 V, Inductive Load (2nd Note 8)
Applied between IN (UH) , IN (VH) , IN (WH) -
V IN(ON)
3
-
0 ~ 0.65
-
? s
V
COM (H) , IN (UL) , IN (VL) , IN (WL) - COM (L)
Input OFF Threshold Voltage
V IN(OFF)
Applied between IN (UH) , IN (VH) , IN (WH) -
4 ~ 5.5
V
COM (H) , IN (UL) , IN (VL) , IN (WL) - COM (L)
2nd Notes:
8. Motion SPM ? 2 product might not make response if the PW IN(OFF) is less than the recommended minimum value.
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FSAM30SH60A Rev. C8
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSAM30SM60A | SMART POWER MODULE 30A SPM32-AA |
| FSAM50SM60A | IC SMART PWR MODULE SPM32-CA |
| FSAM75SM60A | IC SMART PWR MODULE SPM32-CA |
| FSB32560 | MODULE SPM 600V 25A 27SPMBA |
| FSB50250S | IC SMART POWER MOD 2A SPM23-BA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSAM30SH60A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:POWER SUPPLY IC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Power Supply IC |
| FSAM30SH60A_03 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:SPMTM (Smart Power Module) |
| FSAM30SM60A | 功能描述:IGBT 模块 600V/30A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSAM30SM60SL | 功能描述:IGBT 模块 600V/30A Smart Power RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSAM50SM60A | 功能描述:IGBT 晶体管 600V -50A SMART POWER MODULE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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