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参数资料
| 型号： | FSAM30SH60A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SMART POWER MODULE 30A SPM32-AA |
| 产品培训模块： | Smart Power |
| 标准包装： | 8 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 30A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM32AA |
| 产品目录页面： | 1222 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FSAM30SH60A_NL FSAM30SH60A_NL-ND |
Mechanical Characteristics and Ratings
Item
Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
Mounting Torque
Mounting Screw: M4
Recommended 10 kg?cm
8
10
12
kg?cm
Ceramic Flatness
Weight
(2nd Note 9 and 10)
Recommended 0.98 N?m
See Figure 7
0.78
0
-
0.98
-
35
1.17
+120
-
N?m
? m
g
(+)
(+)
(+)
Datum Line
Figure 7. Flatness Measurement Position of The Ceramic Substrate
2nd Notes:
9. Do not make over torque or mounting screws. Much mounting torque may cause ceramic substrate cracks and bolts and Al heat-sink destruction.
10.Avoid one side tightening stress. Figure 8 shows the recommended torque order for mounting screws. Uneven mounting can cause the Motion SPM ? 2 package
ceramic substrate to be damaged.
2
1
Figure 8. Mounting Screws Torque Order (1 ? 2)
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FSAM30SH60A Rev. C8
9
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSAM30SM60A | SMART POWER MODULE 30A SPM32-AA |
| FSAM50SM60A | IC SMART PWR MODULE SPM32-CA |
| FSAM75SM60A | IC SMART PWR MODULE SPM32-CA |
| FSB32560 | MODULE SPM 600V 25A 27SPMBA |
| FSB50250S | IC SMART POWER MOD 2A SPM23-BA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSAM30SH60A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:POWER SUPPLY IC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Power Supply IC |
| FSAM30SH60A_03 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:SPMTM (Smart Power Module) |
| FSAM30SM60A | 功能描述:IGBT 模块 600V/30A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSAM30SM60SL | 功能描述:IGBT 模块 600V/30A Smart Power RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSAM50SM60A | 功能描述:IGBT 晶体管 600V -50A SMART POWER MODULE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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