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参数资料
| 型号： | FSB50825US |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC POWER MOD SPM 250V 4A SPM23BD |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | FET |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 4A |
| 电压： | 250V |
| 电压 - 隔离： | 1500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM23BD |
| 产品目录页面： | 1223 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FSB50825USDKR |
Pin descriptions
Pin Number
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
Pin Name
COM
V B(U)
V CC(U)
IN (UH)
IN (UL)
V S(U)
V B(V)
V CC(V)
IN (VH)
IN (VL)
V S(V)
V B(W)
V CC(W)
IN (WH)
IN (WL)
V S(W)
P
U
N U
N V
V
N W
W
Pin Description
IC Common Supply Ground
Bias Voltage for U Phase High Side MOSFET Driving
Bias Voltage for U Phase IC and Low Side MOSFET Driving
Signal Input for U Phase High-Side
Signal Input for U Phase Low-Side
Bias Voltage Ground for U Phase High Side MOSFET Driving
Bias Voltage for V Phase High Side MOSFET Driving
Bias Voltage for V Phase IC and Low Side MOSFET Driving
Signal Input for V Phase High-Side
Signal Input for V Phase Low-Side
Bias Voltage Ground for V Phase High Side MOSFET Driving
Bias Voltage for W Phase High Side MOSFET Driving
Bias Voltage for W Phase IC and Low Side MOSFET Driving
Signal Input for W Phase High-Side
Signal Input for W Phase Low-Side
Bias Voltage Ground for W Phase High Side MOSFET Driving
Positive DC–Link Input
Output for U Phase
Negative DC–Link Input for U Phase
Negative DC–Link Input for V Phase
Output for V Phase
Negative DC–Link Input for W Phase
Output for W Phase
(1) COM
(2) V B(U)
(17) P
(3) V CC(U)
(4) IN (UH)
VCC
HIN
VB
HO
(5) IN (UL)
LIN
VS
(18) U
(6) V S(U)
(7) V B(V)
COM
LO
(19) N U
(8) V CC(V)
(9) IN (VH)
(10) IN (VL)
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
(20) N V
(21) V
(11) V S(V)
(12) V B(W)
(13) V CC(W)
(14) IN (WH)
(15) IN (WL)
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
(22) N W
(23) W
(16) V S(W)
Figure 1. Pin Configuration and Internal Block Diagram (Bottom View)
1st Notes:
3. Source terminal of each low-side MOSFET is not connected to supply ground or bias voltage ground inside Motion SPM ? 5 product. External connections should be made as
indicated in Figure 3.
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FSB50825US Rev. C4
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSB52006S | MODULE SPM SMART PWR SPM23-BA |
| FSBB15CH60C | IC POWER MOD SPM 600V SPM27CC |
| FSBB15CH60F | MODULE SPM 600V SPM27-CA |
| FSBB20CH60CL | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CB |
| FSBB20CH60CT | MODULE ADV MOTION SPM SPM27-CC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSB52006S | 功能描述:IGBT 模块 60V 1A 15kHz RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSB560 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB560_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Low Saturation Transistor |
| FSB560_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB560A | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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