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参数资料
| 型号： | FSBB15CH60F |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE SPM 600V SPM27-CA |
| 产品变化通告： | Wire Bonding Change 06/April/2007 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 15A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM27CA |
Lower Arms
Control Input
Protection
Circuit State
SET
c6
c7
RESET
Internal IGBT
Gate - Emitter Voltage
Output Current
Sensing Voltage
c1
c2
SC
c3
c4
c8
SC Reference Voltage
of Shunt Resistance
CR Circuit Time
Fault Output Signal
c5
Constant Delay
(with the external shunt resistance and CR connection)
c1 : Normal operation: IGBT ON and carrying current.
c2 : Short-Circuit current detection (SC trigger).
c3 : Hard IGBT gate interrupt.
c4 : IGBT turns OFF.
c5 : Fault output timer operation starts: the pulse width of the fault output signal is set by the external capacitor C FO .
c6 : Input “LOW”: IGBT OFF state.
c7 : Input “HIGH”: IGBT ON state, but during the active period of fault output, the IGBT doesn’t turn ON.
c8 : IGBT OFF state.
Figure 8. Short-Circuit Protection (Low-Side Operation Only)
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FSBB15CH60F Rev. C6
10
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSBB20CH60CL | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CB |
| FSBB20CH60CT | MODULE ADV MOTION SPM SPM27-CC |
| FSBB20CH60C | MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC |
| FSBB20CH60SL | MODULE SPM 600V 20A SPM27-CA |
| FSBB30CH60F | IC SMART PWR MODULE SPM27-EA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSBB20CH60 | 功能描述:IGBT 模块 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60C | 功能描述:IGBT 模块 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60CL | 功能描述:IGBT 模块 20A, Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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