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参数资料
| 型号： | FSBB15CH60F |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE SPM 600V SPM27-CA |
| 产品变化通告： | Wire Bonding Change 06/April/2007 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 15A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM27CA |
+5 V
R PF = 4.7 k ?
SPM
IN (UH) , IN (VH) , IN (WH)
MCU
100 ?
1 nF
C PF = 1 nF
IN (UL) , IN (VL) , IN (WL)
V FO
COM
Figure 9. Recommended MCU I/O Interface Circuit
3rd Notes:
1. RC coupling at each input (parts shown dotted) might change depending on the PWM control scheme in the application and the wiring impedance of the application’s printed
circuit board. The Motion SPM ? 3 Product input signal section integrates a 3.3 k ? ( typ.) pull-down resistor. Therefore, when using an external filtering resistor, pay attention to
the signal voltage drop at input terminal.
2. The logic input works with standard CMOS or LSTTL outputs.
These values depend on PWM control algorithm.
+15 V
R E(H)
R BS
D BS
One-Leg Diagram of
Motion SPM 3 Product
P
22 μ F
0.1 μ F
Vcc VB
IN HO
COM VS
Vcc
Inverter
Output
1000 μ F
1 μ F
IN
OUT
COM V SL
N
Figure 10. Recommended Bootstrap Operation Circuit and Parameters
3rd Notes:
3. It would be recommended that the bootstrap diode, D BS , has soft and fast recovery characteristics.
4. The bootstrap resistor (R BS ) should be three times greater than R E(H) . The recommended value of R E(H) is 5.6 ? , but it can be increased up to 20 ?? (maximum) for a slower dv/
dt of high-side.
5. The ceramic capacitor placed between V CC - COM should be over 1 ? F and mounted as close to the pins of the Motion SPM 3 product as possible.
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FSBB15CH60F Rev. C6
11
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSBB20CH60CL | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CB |
| FSBB20CH60CT | MODULE ADV MOTION SPM SPM27-CC |
| FSBB20CH60C | MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC |
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| FSBB30CH60F | IC SMART PWR MODULE SPM27-EA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSBB20CH60 | 功能描述:IGBT 模块 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60C | 功能描述:IGBT 模块 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60CL | 功能描述:IGBT 模块 20A, Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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