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参数资料
型号： FSBB15CH60F
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 5/14页
文件大小： 0K
描述： MODULE SPM 600V SPM27-CA
产品变化通告： Wire Bonding Change 06/April/2007
标准包装： 10
系列： SPM™
类型： IGBT
配置： 3 相
电流： 15A
电压： 600V
电压 - 隔离： 2500Vrms
封装/外壳： SPM27CA
Absolute Maximum Ratings (T J = 25°C,
Inverter Part
unless otherwise specified.)
Symbol
V PN
V PN(Surge)
V CES
± I C
± I CP
P C
T J
Parameter
Supply Voltage
Supply Voltage (Surge)
Collector - Emitter Voltage
Each IGBT Collector Current
Each IGBT Collector Current (Peak)
Collector Dissipation
Operating Junction Temperature
Conditions
Applied between P- N U , N V , N W
Applied between P- N U , N V , N W
T C = 25°C
T C = 25°C, Under 1ms Pulse Width
T C = 25°C per Chip
(2nd Note 1)
Rating
450
500
600
15
30
50
-20 ~ 125
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
2nd Notes:
1. The maximum junction temperature rating of the power chips integrated within the Motion SPM ? 3 product is 150 ? C (at T C ? 100 ? C). However, to insure safe operation of the
Motion SPM 3 product, the average junction temperature should be limited to T J(ave) ? 125 ? C (at T C ? 100 ? C)
Control Part
Symbol
V CC
Parameter
Control Supply Voltage
Conditions
Applied between V CC(UH) , V CC(VH) , V CC(WH) , V CC(L) -
Rating
20
Unit
V
COM
V BS
High-Side Control Bias
Applied between V B(U) - V S(U) , V B(V) - V S(V) , V B(W) -
20
V
Voltage
V S(W)
V IN
Input Signal Voltage
Applied between IN (UH) , IN (VH) , IN (WH) , IN (UL) , IN (VL) ,
-0.3 ~ 17
V
IN (WL) - COM
V FO
I FO
Fault Output Supply Voltage
Fault Output Current
Applied between V FO - COM
Sink Current at V FO Pin
-0.3 ~ V CC +0.3
5
V
mA
V SC
Current-Sensing Input Voltage Applied between C SC - COM
-0.3 ~ V CC +0.3
V
Total System
Symbol
V PN(PROT)
T C
T STG
V ISO
Parameter
Self-Protection Supply Voltage Limit
(Short-Circuit Protection Capability)
Module Case Operation Temperature
Storage Temperature
Isolation Voltage
Conditions
V CC = V BS = 13.5 ~ 16.5 V
T J = 125°C, Non-Repetitive, < 2 ? s
-20 ? C ?? T J ? 125 ? C, See Figure 2
60 Hz, Sinusoidal, AC 1 Minute, Connect
Rating
400
-20 ~ 100
-40 ~ 125
2500
Unit
V
°C
°C
V rms
Pins to Heat Sink Plate
Thermal Resistance
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Typ. Max.
Unit
R th(j-c)Q
R th(j-c)F
Junction to Case Thermal
Resistance
Inverter IGBT Part (per 1 / 6 module)
Inverter FWD Part (per 1 / 6 module)
-
-
-
-
2.02
3.15
°C/W
°C/W
2nd Notes:
2. For the measurement point of case temperature(T C ), please refer to Figure 2.
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FSBB15CH60F Rev. C6
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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FSBB20CH60B 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FSBB20CH60BT 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FSBB20CH60C 功能描述:IGBT 模块 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FSBB20CH60CL 功能描述:IGBT 模块 20A, Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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