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参数资料
| 型号： | GFB50N03 |
| 厂商： | GE Security, Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOSFET |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | GFB50N03 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GFB70N03 | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
| GFSH109F3N/AA | 19 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR, SOLDER |
| GFSH624F4B | 30 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR, SOLDER |
| GFSH624F4H-PA688 | 30 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR, SOLDER |
| GFSH624F4H/AA-PA688 | 30 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR, SOLDER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GFB50N03\31B | 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| GFB60N03\31B | 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| GFB70N03 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
| GFB70N03\31B | 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| GFB75N03 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
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