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参数资料
| 型号： | GFB50N03 |
| 厂商： | GE Security, Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOSFET |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | GFB50N03 |
0
500
1000
1500
2000
2500
0
5
10
15
30
20
25
Fig. 8 – Capacitance
Ciss
Crss
Coss
f = 1MHZ
VGS = 0V
0
2
4
6
8
10
010
20
35
30
Fig. 7 – Gate Charge
VDS = 15V
ID = 15A
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
TJ = 125
°C
Fig. 9 – Source-Drain Diode
Forward Voltage
25
°C
--55
°C
VGS = 0V
I S
-
-Source
Current
(A)
VSD -- Source-to-Drain Voltage (V)
Qg -- Charge (nC)
V
GS
-
-Gate-to-Source
V
oltage
(V)
C
-
-Capacitance
(pF)
VDS -- Drain-to-Source Voltage (V)
0
0.005
0.01
0.02
0.03
0.04
0.015
0.025
0.035
246
8
10
Fig. 6 – On-Resistance
vs. Gate-to-Source Voltage
R
DS(ON)
-
-On-Resistance
(
)
VGS -- Gate-to-Source Voltage (V)
ID = 25A
TJ = 125
°C
25
°C
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
GFB50N03
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| GFB70N03 | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GFB50N03\31B | 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| GFB60N03\31B | 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| GFB70N03\31B | 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| GFB75N03 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
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