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参数资料
| 型号： | GFB50N03 |
| 厂商： | GE Security, Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOSFET |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | GFB50N03 |
0
20
40
80
01
2
3
4
5
Fig. 1 – Output Characteristics
I D
-
-Drain
Source
Current
(A)
VDS -- Drain-to-Source Voltage (V)
0
0.01
0.015
0.005
0.02
0.025
0.03
0
20
40
60
80
100
Fig. 4 – On-Resistance
vs. Drain Current
R
DS(ON)
-
-On-Resistance
(
)
ID -- Drain Current (A)
0
10
20
40
30
50
60
12
3
4
5
Fig. 2 – Transfer Characteristics
I D
-
-Drain
Current
(A)
60
2.5V
0.6
1.2
1.4
1.6
0.8
1
--50
--25
25
50
75
100
125
150
0
R
DS(ON)
-
-On-Resistance
(Normalized)
TJ -- Junction Temperature (
°C)
Fig. 5 – On-Resistance
vs. Junction Temperature
VGS = 10V
ID = 25A
6.0V
10V
TJ = 125
°C
--55
°C
3.0V
4.0V
4.5V
3.5V
5.0V
25
°C
VDS = 10V
VGS = 4.5V
VGS -- Gate-to-Source Voltage (V)
0.8
0.6
1
1.2
1.4
1.6
1.8
--50
--25
25
50
75
100
125
150
0
V
GS(th)
--
Threshold
V
oltage
(V)
TJ -- Junction Temperature (
°C)
Fig. 3 – Threshold Voltage
vs. Temperature
ID = 250
A
5V
VGS=10V
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
GFB50N03
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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