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参数资料
| 型号： | GFB50N03 |
| 厂商： | GE Security, Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOSFET |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | GFB50N03 |
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
GFB50N03
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
Fig. 11 – Transient Thermal
Impedance
Fig. 13 – Maximum Safe Operating Area
I D
-
-Drain
Current
(A)
VDS -- Drain-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.001
0.0001
1
10
Fig. 12 – Power vs. Pulse Duration
VGS = 10V
Single Pulse
RθJC = 2.0°C/W
TA = 25°C
RDS(ON) Limit
100
s
1ms
10m
s
DC
100ms
0.001
0.01
0.0001
0
200
400
600
800
1000
0.1
1
10
1. Duty Cycle, D = t1/t2
2. RθJA(t) = RθJA(norm) *RθJA
3. RθJA = 2.0°C/W
4. TJ -- TA = PDM* RθJA(t)
37
36
38
40
43
44
39
--50
--25
25
50
75
100
125
0
Fig. 10 – Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature
150
ID = 250
A
BV
DSS
-
-Breakdown
V
oltage
(V)
TJ -- Junction Temperature (
°C)
41
42
Single Pulse
RθJA = 2.0°C/W
TC = 25°C
Pulse Duration (sec.)
Power
(W)
Pulse Duration (sec.)
R
θJA
(norm)
-
-Normalized
Thermal
Impedance
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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