参数资料
型号: GL100MN0MP1
厂商: Sharp Microelectronics
文件页数: 5/11页
文件大小: 0K
描述: EMITTER IR 940NM GP 3.0MW SMD
产品变化通告: Emitter Chip Change 10/Aug/2007
标准包装: 1
电流 - DC 正向(If): 50mA
波长: 940nm
正向电压: 1.2V
视角: 20°
方向: 顶视图
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 2-SMD,无引线
包装: 标准包装
其它名称: 425-2706-6
GL100MN0MPx
Fig. 7 Radiant Flux vs. Forward Current
Fig. 9 Radiation Diagram
100
T a = 25°C
-20°
-10°
+10°
+20°
100
10
-30°
80
+30°
1
P u lse
-40°
60
+40°
(P u lse w idth ≤ 100 m s)
0.1
-50°
-60°
-70°
40
20
+50°
+60°
+70°
0.01
1
10
100
1000
-80°
+80°
For w ard c u rrent I F (mA)
-90°
0
Ang u lar displacement θ
+90°
Fig. 8 Relative Output vs.
Distance to Detector
(Detector: PT100MF0MP)
100
I F = constant
T a = 25°C
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1000
Distance to detector (mm)
Sheet No.: D1-A00601EN
5
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PDF描述
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GL4800E0000F EMITTER IR 950NM 3.0MW TH
GL480E00000F EMITTER IR 950NM 3.0MW TH
相关代理商/技术参数
参数描述
GL100MN0MP1M 功能描述:红外发射源 940nm 1-2.5mW SMT IRED 1.5Kpcs RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk
GL100MN1MP 功能描述:红外发射源 SMT IRED 10 940nm 6mW 2Kpcs (Side Mt.) RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk
GL100MN1MP1 功能描述:红外发射源 940nm 6mW SMT IRED 1.5Kpcs RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk
GL100MN3MP 功能描述:红外发射源 940nm 6mW SMT IRED 2Kpcs RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk
GL100MN3MP1 功能描述:红外发射源 940nm 6mW SMT IRED 1.5Kpcs RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk