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参数资料
| 型号： | GP4435 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | P沟道增强型功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | GP4435 |
GP4435
Page: 3/4
ISSUED DATE :2005/03/02
REVISED DATE :
Characteristics Curve
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristics of
Reverse Diode
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| GP447 | 功能描述:瓷片电容器 1000V 47pF DISC RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 电容:0.01 uF 容差:20 % 电压额定值:3 kV 工作温度范围:- 25 C to + 105 C 损耗因数 DF: 端接类型:Radial 产品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| GP450 | 制造商:Cornell Dubilier Electronics 功能描述: 制造商:Mallory Sonalert Products Inc 功能描述: |
| GP4501 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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