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参数资料
| 型号： | GS8152Z18 |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水线式和流通型同步NBT静态RAM) |
| 中文描述： | 16Mb的流水线和流量，通过同步唑的SRAM（1,600位流水线式和流通型同步唑静态内存） |
| 文件页数： | 11/39页 |
| 文件大小： | 757K |
| 代理商： | GS8152Z18 |
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Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
11/39
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS8152Z18/36/72B-225/200/180/166/150/133
Pipelined and Flow Through Read Write Control State Diagram
Deselect
New Read
New Write
Burst Read
Burst Write
W
R
B
R
B
W
D
D
B
B
W
R
D
B
W
R
D
D
Current State (n)
Next State (n+1)
Transition
Input Command Code
Key
Notes
1. The Hold command (CKE Low) is not
shown because it prevents any state change.
2. W, R, B, and D represent input command
codes as indicated in the Synchronous Truth Table.
Clock (CK)
Command
Current State
Next State
n
n+1
n+2
n+3
Current State and Next State Definition for
Pipelined and Flow through Read/Write Control State Diagram
W
R
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| GS815V018AB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300 - Trays |
| GS815V018AB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300I - Trays |
| GS815V018AB-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-333 - Trays |
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