参数资料
型号: GS8152Z18
厂商: GSI TECHNOLOGY
英文描述: 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水线式和流通型同步NBT静态RAM)
中文描述: 16Mb的流水线和流量,通过同步唑的SRAM(1,600位流水线式和流通型同步唑静态内存)
文件页数: 2/39页
文件大小: 757K
代理商: GS8152Z18
Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
2/39
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS8152Z18/36/72B-225/200/180/166/150/133
GS8152Z72 Pad Out
209-Bump BGA
Top View
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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A
DQG5
DQG1
A13
E2
A14
ADV
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E3
A17
DQB1
DQB5
B
DQG6
DQG2
BC
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NC
W
A16
BB
BF
DQB2
DQB6
C
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BE
BA
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NC
G
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NC
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DQB8
E
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V
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V
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SS
V
SS
ZQ
V
SS
V
SS
V
SS
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DQF4
G
DQC3
DQC7
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
MCH
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
DQF7
DQF3
H
DQC2
DQC6
V
SS
V
SS
V
SS
MCL
V
SS
V
SS
V
SS
DQF6
DQF2
J
DQC1
DQC5
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
MCH
V
DD
V
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DDQ
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DQF1
K
NC
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NC
DP
NC
QE
L
DQH1
DQH5
V
DDQ
V
DDQ
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DD
FT
V
DD
V
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MCL
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N
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V
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SS
V
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SS
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R
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V
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T
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SS
NC
NC
LBO
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DQE4
DQE8
U
DQD7
DQD3
NC
A12
NC
A11
NC
A10
NC
DQE3
DQE7
V
DQD6
DQD2
A9
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A5
A4
DQE2
DQE6
W
DQD5
DQD1
TMS
TDI
A3
A0
A2
TDO
TCK
DQE1
DQE5
Rev 9.7
11 x 19 Bump BGA
14 x 22 mm
2
Body
1 mm Bump Pitch
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