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参数资料
型号： GSA1015
厂商： GTM CORPORATION
英文描述： PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
中文描述： 进步党外延平面晶体管
文件页数： 1/2页
文件大小： 153K
代理商： GSA1015
CORPORATION
1/2
ISSUED DATE :2004/07/09
REVISED DATE :2004/11/29B
L
e 1
b
e
S E A T IN G
P L A N E
b 1
A
D
C
S 1
E
G
G S
S A
A11001155
P
P N
N P
P E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A L
L P
P L
L A
A N
N A
A R
R T
T A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GSA1015 is designed for use in driver stage of AF amplifier and general purpose applications.
Features
*Collector-Base Voltage: VCBO =-50V
*Complementary to GSC1815
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
4.45
4.7
D
4.44
4.7
S1
1.02
-
E
3.30
3.81
b
0.36
0.51
L
12.70
-
b1
0.36
0.76
e1
1.150
1.390
C
0.36
0.51
e
2.42
2.66
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55 ~ +150
Collector to Base Voltage
VCBO
-50
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
-50
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
-5
V
Collector Current
IC
-150
mA
Base Current
IB
-50
mA
Total Power Dissipation
PD
400
mW
Characteristics at Ta = 25 ::::
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
-50
-
V
IC=-100uA , IE = 0
BVCEO
-50
-
V
IC=-1mA, IB = 0
BVEBO
-5
-
V
IE=-10uA, IC = 0
ICBO
-
-100
nA
VCE=-50V, IE = 0
IEBO
-
-100
nA
VEB=-5V, IC = 0
*VCE(sat)
-
-0.3
V
IC=-100mA, IB=-10mA
*VBE(sat)
-
-1.1
V
IC=-100mA, IB=-10mA
hFE1
70
-
700
VCE=-6V, IC=-2mA
hFE2
25
-
VCE=-6V, IC=-150mA
fT
80
-
MHz
VCE=-10V, IC=-1mA, f=100MHz
Cob
-
7.0
pF
VCB=-10V, IE = 0,f=1MHz
* Pulse Test: Pulse Width 380us, Duty Cycle 2%
Classification OF hFE1
Rank
O
Y
GR
L
Range
70-140
120-240
200-400
350-700
TO-92
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