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参数资料
型号： GSC4835
厂商： GTM CORPORATION
英文描述： P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述： P沟道增强型功率MOSFET
文件页数： 2/4页
文件大小： 310K
代理商： GSC4835
GSC4835
Page: 2/4
ISSUED DATE :2006/04/20
REVISED DATE :
Electrical Characteristics (Tj = 25 :::: unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Drain-Source Breakdown Voltage
BVDSS
-30
-
V
VGS=0, ID=-250uA
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
BVDSS /
Tj
-
-0.02
-
V/ :
Reference to 25 : , ID=-1mA
Gate Threshold Voltage
VGS(th)
-1.0
-
-3.0
V
VDS=VGS, ID=-250uA
Forward Transconductance
gfs
-
14
-
S
VDS=-10V, ID=-9A
Gate-Source Leakage Current
IGSS
-
±100
nA
VGS=±25V
Drain-Source Leakage Current(Tj=25 : )
-
-1
uA
VDS=-30V, VGS=0
Drain-Source Leakage Current(Tj=70 : )
IDSS
-
-25
uA
VDS=-24V, VGS=0
-
16.5
20
VGS=-10V, ID=-9A
Static Drain-Source On-Resistance2
RDS(ON)
-
30
35
m
VGS=-4.5V, ID=-6A
Total Gate Charge2
Qg
-
23
37
Gate-Source Charge
Qgs
-
4
-
Gate-Drain (“Miller”) Change
Qgd
-
16
-
nC
ID=-9A
VDS=-25V
VGS=-4.5V
Turn-on Delay Time2
Td(on)
-
13
-
Rise Time
Tr
-
10
-
Turn-off Delay Time
Td(off)
-
48
-
Fall Time
Tf
-
46
-
ns
VDS=-15V
ID=-1A
VGS=-10V
RG=3.3
RD=15
Input Capacitance
Ciss
-
1170
1870
Output Capacitance
Coss
-
415
-
Reverse Transfer Capacitance
Crss
-
340
-
pF
VGS=0V
VDS=-25V
f=1.0MHz
Gate Resistance
Rg
-
8
12
f=1.0MHz
Source-Drain Diode
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Forward On Voltage2
VSD
-
-1.2
V
IS=-2.1A, VGS=0V
Reverse Recovery Time
Trr
-
40
-
ns
Reverse Recovery Charge
Qrr
-
30
-
nC
IS=-9A, VGS=0V
dI/dt=100A/ s
Notes: 1. Pulse width limited by Max. junction temperature.
2. Pulse width 300us, duty cycle 2%.
3. Surface mounted on 1 in2 copper pad of FR4 board, t 10sec; 125 /W when mounted on Min. copper pad.
:
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GSC49DRAH-S734 功能描述:CONN EDGECARD 98POS .100 R/A SLD RoHS:是 类别:连接器，互连式 >> Card Edge 系列:- 标准包装:25 系列:357 卡类型:非指定 - 单边 类型:母头 Number of Positions/Bay/Row:36 位置数:36 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行数:1 间距:0.156"（3.96mm） 特点:- 安装类型:通孔 端子:焊接 触点材料:铜，镍，锡合金 触点表面涂层:金 触点涂层厚度:- 触点类型：:发夹式波纹管 颜色:黑 包装:散装 法兰特点:- 材料 - 绝缘体:热塑性聚酯 工作温度:-65°C ~ 125°C 读数:单路
GSC49DRAI 功能描述:CONN EDGECARD 98POS R/A .100 SLD RoHS:是 类别:连接器，互连式 >> Card Edge 系列:- 标准包装:1 系列:- 卡类型:非指定 - 双边 类型:母头 Number of Positions/Bay/Row:10 位置数:20 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行数:2 间距:0.156"（3.96mm） 特点:- 安装类型:通孔 端子:焊接 触点材料:磷青铜 触点表面涂层:金 触点涂层厚度:10µin（0.25µm） 触点类型：:全波纹管 颜色:蓝 包装:托盘 法兰特点:- 材料 - 绝缘体:聚对苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作温度:-65°C ~ 125°C 读数:双
GSC49DRAI-S734 功能描述:CONN EDGECARD 98POS .100 R/A SLD RoHS:是 类别:连接器，互连式 >> Card Edge 系列:- 标准包装:1 系列:- 卡类型:非指定 - 双边 类型:母头 Number of Positions/Bay/Row:36 位置数:72 卡厚度:0.093"（2.36mm） 行数:2 间距:0.156"（3.96mm） 特点:- 安装类型:通孔，直角 端子:焊接 触点材料:磷青铜 触点表面涂层:金 触点涂层厚度:10µin（0.25µm） 触点类型：:环形波纹管 颜色:绿 包装:托盘 法兰特点:- 材料 - 绝缘体:聚苯硫醚（PPS） 工作温度:-65°C ~ 125°C 读数:双
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