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参数资料
| 型号： | GSC6618 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 287K |
| 代理商： | GSC6618 |
GSC6618
Page: 4/4
ISSUED DATE :2006/01/10
REVISED DATE :
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China: (201203) No.255, Jang-Jiang Tsai-Lueng RD. , Pu-Dung-Hsin District, Shang-Hai City, China
TEL : 86-21-5895-7671 ~ 4 FAX : 86-21-38950165
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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