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参数资料
| 型号： | HCPL3180 |
| 英文描述： | Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler |
| 中文描述： | 当前，高速式IGBT / MOSFET的门极驱动光电耦合器 |
| 文件页数： | 11/19页 |
| 文件大小： | 466K |
| 代理商： | HCPL3180 |
11
Figure 17. IOH Test Circuit
Figure 18. IOL Test Circuit
Figure 19. VOH Test Circuit
4V/10V
1
2
3
4
8
7
6
5
Shield
0,1 μF
V
CC
=10 to 20V
+
-
IoH
+
-
I
=10mA to
16mA
2.5V/10V
1
2
3
4
8
7
6
5
Shield
0,1 μF
V
CC
=10 to 20V
+
-
IoL
+
-
100mA
1
2
3
4
8
7
6
5
Shield
0,1 μF
V
CC
=10 to 20V
+
-
V
OH
I
F
=10mA to
16mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| HCPL-3180-000E | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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| HCPL-3180-060 | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-3180-060E | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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