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参数资料
| 型号： | HCPL3180 |
| 英文描述： | Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler |
| 中文描述： | 当前，高速式IGBT / MOSFET的门极驱动光电耦合器 |
| 文件页数： | 3/19页 |
| 文件大小： | 466K |
| 代理商： | HCPL3180 |
3
0
TIME (SECONDS)
T
200
100
50
150
100
200
250
300
0
30
SEC.
50 SEC.
30
SEC.
160C
150C
PEAK
TEMP.
245C
PEAK
TEMP.
240C
PEAK
TEMP.
230C
SOLDERING
TIME
200C
PREHEATING TIME
150C, 90 + 30 SEC.
2.5C ± 0.5C/SEC.
3C + 1C/–0.5C
TIGHT
TYPICAL
LOOSE
ROOM
TEMPERATURE
PREHEATING RATE 3C + 1C/–0.5C/SEC.
REFLOW HEATING RATE 2.5C ± 0.5C/SEC.
Solder Reflow Temperature Profile
Regulatory Information
The HCPL-3180 is pending
approval by the following
organizations:
DIN EN 60747-5-2
Pending approval under DIN
EN-60747-5-2 with V
IORM
= 630
V
PEAK
UL
Approval under UL 1577,
component recognition program
up to V
ISO
= 2500 V
RMS.
Pending
3750 V
RMS.
CSA
Approval under CSA
Component.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HCPL-354 | AC Input Phototransistor Optocoupler SMD Mini-Flat Type |
| HCPL-354-000E | AC Input Phototransistor Optocoupler SMD Mini-Flat Type |
| HCPL-5121-100 | 2.0 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler |
| HCPL-5121-200 | 2.0 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler |
| HCPL-5121-300 | 2.0 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HCPL-3180 | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-3180-000E | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-3180-000E | 制造商:Avago Technologies 功能描述:GATE DRIVE OPTOCOUPLER LF - LEAD FREE |
| HCPL-3180-060 | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-3180-060E | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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