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参数资料
| 型号： | HCPL3180 |
| 英文描述： | Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler |
| 中文描述： | 当前，高速式IGBT / MOSFET的门极驱动光电耦合器 |
| 文件页数： | 4/19页 |
| 文件大小： | 466K |
| 代理商： | HCPL3180 |
4
DIN EN 60747-5-2 Insulation Characteristics (HCPL-3180 Option 060)
*
Refer to the optocoupler section of the Isolation and Control Components Designer’s Catalog, under Product Safety Regulations section, (DIN) for a
detailed description of Method A and Method B partial discharge test profiles.
** Refer to the following figure for dependence of P
S
and I
S
on ambient temperature.
Description
Symbol
HCPL-3180
Unit
Installation classification per DIN EN 0110 1997-04
for rated mains voltage 150 Vrms
I - IV
for rated mains voltage 300 Vrms
I - III
for rated mains voltage 600 Vrms
I - II
Climatic Classification
55/100/21
Pollution Degree (DIN EN 0110 1997 -04)
2
Maximum Working Insulation Voltage
V
IORM
630
Vpeak
Input to Output Test Voltage, Method b*
VIORM x 1.875=VPR, 100% Production Test withtm=1 sec, Partial discharge < 5 pC
V
PR
1181
Vpeak
Input to Output Test Voltage, Method a*
VIORM x 1.5=VPR, Type and Sample Test, tm=60 sec,Partial discharge < 5 pC
V
PR
945
Vpeak
Highest Allowable Overvoltage (Transient Overvoltage tini = 10 sec)
V
IOTM
6000
Vpeak
Safety-limiting values - maximum values allowed in the event of a failure.
Case Temperature
T
S
175
°C
Input Current**
I
S, INPUT
230
mA
Output Power**
P
S, OUTPUT
600
mW
Insulation Resistance at TS, VIO = 500 V
R
S
>10
9
W
O
S
,
S
0
0
T
S
– CASE TEMPERATURE – C
200
600
400
25
800
50
75
100
200
150 175
P
S
(mW)
I
S
(mA)
125
100
300
500
700
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HCPL-3180-000E | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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| HCPL-3180-060E | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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