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参数资料
| 型号： | HGTG10N120BND |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH NPT 1200V 35A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，10A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 35A |
| 功率 - 最大： | 298W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
HGTG10N120BND
Electrical Speci?cations
T C = 25 o C, Unless Otherwise Speci?ed (Continued)
PARAMETER
Current Turn-On Delay Time
Current Rise Time
Current Turn-Off Delay Time
Current Fall Time
Turn-On Energy
Turn-Off Energy (Note 3)
Diode Forward Voltage
Diode Reverse Recovery Time
Thermal Resistance Junction To Case
SYMBOL
t d(ON)I
t rI
t d(OFF)I
t fI
E ON
E OFF
V EC
t rr
R θ JC
TEST CONDITIONS
IGBT and Diode at T J = 150 o C
I CE = 10A
V CE = 960V
V GE = 15V
R G = 10 ?
L = 2mH
Test Circuit (Figure 20)
I EC = 10A
I EC = 10A, dI EC /dt = 200A/ μ s
I EC = 1A, dI EC /dt = 200A/ μ s
IGBT
Diode
MIN
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TYP
21
11
190
140
1.75
1.1
2.55
57
32
-
-
MAX
25
15
250
200
2.3
1.4
3.2
70
40
0.42
1.25
UNITS
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
V
ns
ns
o C/W
o C/W
NOTE:
3. Turn-Off Energy Loss (E OFF ) is de?ned as the integral of the instantaneous power loss starting at the trailing edge of the input pulse and ending
at the point where the collector current equals zero (I CE = 0A). All devices were tested per JEDEC Standard No. 24-1 Method for Measurement
of Power Device Turn-Off Switching Loss. This test method produces the true total Turn-Off Energy Loss.
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Speci?ed
35
30
25
V GE = 15V
60
50
T J = 150 o C, R G = 10 ? , V G = 15V, L = 400 μ H
40
20
30
15
10
5
0
20
10
0
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 1. DC COLLECTOR CURRENT vs CASE
TEMPERATURE
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
V CE , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 2. MINIMUM SWITCHING SAFE OPERATING AREA
HGTG10N120BND Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HGTG11N120CND | IGBT NPT N-CH 1200V 43A TO-247 |
| HGTG12N60A4D | IGBT N-CH SMPS 600V 54A TO247 |
| HGTG12N60C3D | IGBT UFS N-CHAN 600V 24A TO-247 |
| HGTG18N120BND | IGBT NPT N-CHAN 1200V 54A TO-247 |
| HGTG20N60A4D | IGBT N-CH SMPS 600V 70A TO247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HGTG10N120BND | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SINGLE IGBT 1.2KV 35A |
| HGTG10N120BND_Q | 功能描述:IGBT 晶体管 35A 1200V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| HGTG10N120ND | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| HGTG11N120CN | 功能描述:IGBT 晶体管 43A 1200V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| HGTG11N120CND | 功能描述:IGBT 晶体管 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dde RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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