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参数资料
| 型号： | HGTG10N120BND |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH NPT 1200V 35A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，10A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 35A |
| 功率 - 最大： | 298W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
HGTG10N120BND
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Speci?ed (Continued)
4
FREQUENCY = 1MHz
15
DUTY CYCLE <0.5%, T C = 110 o C
PULSE DURATION = 250 μ s
3
C IES
12
9
V GE = 15V
2
6
V GE = 10V
1
C RES
C OES
3
0
0
5
10
15
20
25
0
0
1
2
3
4
V CE , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 15. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
10 0
0.5
0.2
0.1
V CE , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 16. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
10 -1
0.05
0.02
t 1
0.01
10 -2
10 -5
SINGLE PULSE
10 -4
10 -3
DUTY FACTOR, D = t 1 / t 2
PEAK T J = (P D X Z θ JC X R θ JC ) + T C
10 -2
P D
10 -1
t 2
10 0
t 1 , RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
FIGURE 17. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
70
T C = 25 o C, dI EC / dt = 200A/ μ s
100
60
50
150 o C
40
trr
10
30
ta
25 o C
20
1
1
2
-55 o C
3
4
5
6
10
1
tb
2
5
10
20
V F , FORWARD VOLTAGE (V)
FIGURE 18. DIODE FORWARD CURRENT vs FORWARD
VOLTAGE DROP
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
I F , FORWARD CURRENT (A)
FIGURE 19. RECOVERY TIMES vs FORWARD CURRENT
HGTG10N120BND Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HGTG11N120CND | IGBT NPT N-CH 1200V 43A TO-247 |
| HGTG12N60A4D | IGBT N-CH SMPS 600V 54A TO247 |
| HGTG12N60C3D | IGBT UFS N-CHAN 600V 24A TO-247 |
| HGTG18N120BND | IGBT NPT N-CHAN 1200V 54A TO-247 |
| HGTG20N60A4D | IGBT N-CH SMPS 600V 70A TO247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HGTG10N120BND | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SINGLE IGBT 1.2KV 35A |
| HGTG10N120BND_Q | 功能描述:IGBT 晶体管 35A 1200V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| HGTG10N120ND | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| HGTG11N120CN | 功能描述:IGBT 晶体管 43A 1200V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| HGTG11N120CND | 功能描述:IGBT 晶体管 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dde RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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