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参数资料
| 型号： | HGTG20N120E2 |
| 厂商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 34A, 1200V N-Channel IGBT |
| 中文描述： | 34 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | HGTG20N120E2 |
3-100
HGTG20N120E2
Typical Performance Curves
FIGURE 1. TRANSFER CHARACTERISTICS (TYPICAL)
FIGURE 2. SATURATION CHARACTERISTICS (TYPICAL)
FIGURE 3. MAXIMUM DC COLLECTOR CURRENT AS A
FUNCTION OF CASE TEMPERATURE
FIGURE 4. FALL TIME AS A FUNCTION OF COLLECTOR-
EMITTER CURRENT
FIGURE 5. CAPACITANCE AS A FUNCTION OF COLLECTOR-
EMITTER VOLTAGE
FIGURE 6. NORMALIZED SWITCHING WAVEFORMS AT
CONSTANT GATE CURRENT. (REFER TO
APPLICATION NOTES AN7254 AND AN7260)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HGTG20N120 | 34A, 1200V N-Channel IGBT |
| HGTG20N50C1D | 36 MACROCELL 3.3 VOLT ISP CPLD |
| HGTG20N60B3D | 40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode(40A, 600V，N沟道绝缘栅双极晶体管（带反并行超快速二极管)) |
| HGTG24N60D1D | 3.3V 36-mc CPLD |
| HGTG24N60D1 | 36 MACROCELL 3.3 VOLT ISP CPLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HGTG20N50C1D | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HGTG20N60A4 | 功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| HGTG20N60A4 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT N TO-247 |
| HGTG20N60A4_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HGTG20N60A4D | 功能描述:IGBT 晶体管 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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