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参数资料
| 型号： | HGTG20N60B3D |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH UFS 600V 20A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 40A |
| 功率 - 最大： | 165W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | HGTG20N60B3D-ND HGTG20N60B3DFS |
HGTG20N60B3D
Typical Performance Curves
100
80
PULSE DURATION = 250 μ s
DUTY CYCLE <0.5%, V CE = 10V
T C = 150 o C
100
80
V GE = 15V
12V
V GE = 10V
PULSE DURATION = 250 μ s
DUTY CYCLE <0.5%, T C = 25 o C
V GE = 9V
T T C C = = -40 o C C
60
40
T C = 25 o C
-40 o
60
40
V GE = 8.5V
V GE = 8.0V
20
20
V GE = 7.5V
V GE = 7.0V
0
4
6
8
10
12
0
0
2
4
6
8
10
50
V GE , GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1. TRANSFER CHARACTERISTICS
100
V CE , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 2. SATURATION CHARACTERISTICS
40
80
PULSE DURATION = 250 μ s
DUTY CYCLE <0.5%, V GE = 15V
T C = 25 o C
V GE = 15V
30
20
10
60
40
20
T C = -40 o C
T C = 150 o C
0
25
50
75
100
125
150
0
0
1
2
3
4
5
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 3. DC COLLECTOR CURRENT vs CASE
TEMPERATURE
V CE , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 4. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
5000
FREQUENCY = 1MHz
600
15
4000
3000
2000
C IES
480
360
240
V CE = 600V
V CE = 400V
12
9
6
C OES
V CE = 200V
1000
0
0
C RES
5
10
15
20
25
120
0
0
20
40
60
T C = 25 o C 3
I g(REF) = 1.685mA
R L = 30 ?
80 100
0
V CE , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 5. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Q G , GATE CHARGE (nC)
FIGURE 6. GATE CHARGE WAVEFORMS
HGTG20N60B3D Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HGTG20N60B3D | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:IGBT TO-247 |
| HGTG20N60B3D_Q | 功能描述:IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| HGTG20N60C3 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| HGTG20N60C3D | 功能描述:IGBT 晶体管 UFS 20A 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| HGTG20N60C3D | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT |
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