- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17258 > HIP2100EIBZ (Intersil)IC DRIVER HALF BRIDGE 8EPSOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | HIP2100EIBZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF BRIDGE 8EPSOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 20ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 114V |
| 电源电压： | 9 V ~ 14 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1239 (CN2011-ZH PDF) |
HIP2100
Small Outline Plastic Packages (SOIC)
N
INDEX
AREA
E
-B-
H
0.25(0.010) M
B M
M8.15 (JEDEC MS-012-AA ISSUE C)
8 LEAD NARROW BODY SMALL OUTLINE PLASTIC PACKAGE
INCHES MILLIMETERS
SYMBOL MIN MAX MIN MAX NOTES
A 0.0532 0.0688 1.35 1.75 -
1
2
3
L
A1
B
0.0040
0.013
0.0098
0.020
0.10
0.33
0.25
0.51
-
9
SEATING PLANE
C
0.0075
0.0098
0.19
0.25
-
-A-
D
A
h x 45°
D
0.1890
0.1968
4.80
5.00
3
E
0.1497
0.1574
3.80
4.00
4
e
B
0.25(0.010) M
NOTES:
-C-
C A M
B S
A1
α
0.10(0.004)
C
e
H
h
L
N
α
0.050 BSC
0.2284 0.2440
0.0099 0.0196
0.016 0.050
8
0°
8°
1.27 BSC
5.80 6.20
0.25 0.50
0.40 1.27
8
0°
8°
-
-
5
6
7
-
1. Symbols are defined in the “MO Series Symbol List” in Section 2.2 of
Publication Number 95.
2. Dimensioning and tolerancing per ANSI Y14.5M - 1982.
3. Dimension “D” does not include mold flash, protrusions or gate burrs.
Mold flash, protrusion and gate burrs shall not exceed 0.15mm (0.006
inch) per side.
4. Dimension “E” does not include interlead flash or protrusions. Inter-
lead flash and protrusions shall not exceed 0.25mm (0.010 inch) per
side.
5. The chamfer on the body is optional. If it is not present, a visual index
feature must be located within the crosshatched area.
6. “L” is the length of terminal for soldering to a substrate.
7. “N” is the number of terminal positions.
8. Terminal numbers are shown for reference only.
9. The lead width “B”, as measured 0.36mm (0.014 inch) or greater
above the seating plane, shall not exceed a maximum value of
0.61mm (0.024 inch).
10. Controlling dimension: MILLIMETER. Converted inch dimensions
are not necessarily exact.
11
Rev. 1 6/05
FN4022.14
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECC08DRAN | CONN EDGECARD 16POS R/A .100 SLD |
| HIP2101IBZ | IC DRIVER HALF-BRIDGE 8SOIC |
| ESC05DRAH | CONN EDGECARD 10POS R/A .100 SLD |
| R1S8-1505 | CONV DC/DC 1W 15VIN 05VOUT |
| R1S-2409 | CONV DC/DC 1W 24VIN 09VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HIP2100EIBZT | 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2100EVAL | 功能描述:EVAL BOARD MINI HALF BRIDGE RoHS:否 类别:编程器，开发系统 >> 过时/停产零件编号 系列:- 标准包装:1 系列:- 传感器类型:CMOS 成像，彩色（RGB） 传感范围:WVGA 接口:I²C 灵敏度:60 fps 电源电压:5.7 V ~ 6.3 V 嵌入式:否 已供物品:成像器板 已用 IC / 零件:KAC-00401 相关产品:4H2099-ND - SENSOR IMAGE WVGA COLOR 48-PQFP4H2094-ND - SENSOR IMAGE WVGA MONO 48-PQFP |
| HIP2100EVAL2 | 功能描述:电源管理IC开发工具 HIP EVALRD 48VDC T CNTLR W/ON-CHIP MCU RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 产品:Evaluation Kits 类型:Battery Management 工具用于评估:MAX17710GB 输入电压: 输出电压:1.8 V |
| HIP2100IB | 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2100IBT | 功能描述:功率驱动器IC TAPE AND REEL RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。