参数资料
型号: HIP2100EIBZ
厂商: Intersil
文件页数: 8/12页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HALF BRIDGE 8EPSOIC
标准包装: 98
配置: 半桥
输入类型: PWM
延迟时间: 20ns
电流 - 峰: 2A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 114V
电源电压: 9 V ~ 14 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
供应商设备封装: 8-SOIC-EP
包装: 管件
产品目录页面: 1239 (CN2011-ZH PDF)
HIP2100
Typical Performance Curves
2.5
2.0
(Continued)
1.000
0.100
0.010
1.5
0.001
1.0
0.5
1·10 -4
1·10 -5
0
0
2
4
6
8
10
12
1·10-6
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V LO , V HO (V)
FIGURE 13. PEAK PULLDOWN CURRENT vs OUTPUT
VOLTAGE
60
50
I HB vs V HB
40
I DD vs V DD
30
20
10
FORWARD VOLTAGE (V)
FIGURE 14. BOOTSTRAP DIODE I-V CHARACTERISTICS
120
100
80
60
40
20
0
0
5
10
15
0
12
14 15
16
V DD , V HB (V)
FIGURE 15. QUIESCENT CURRENT vs VOLTAGE
8
V DD TO V SS VOLTAGE (V)
FIGURE 16. V HS VOLTAGE vs V DD VOLTAGE
FN4022.14
相关PDF资料
PDF描述
ECC08DRAN CONN EDGECARD 16POS R/A .100 SLD
HIP2101IBZ IC DRIVER HALF-BRIDGE 8SOIC
ESC05DRAH CONN EDGECARD 10POS R/A .100 SLD
R1S8-1505 CONV DC/DC 1W 15VIN 05VOUT
R1S-2409 CONV DC/DC 1W 24VIN 09VOUT
相关代理商/技术参数
参数描述
HIP2100EIBZT 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP2100EVAL 功能描述:EVAL BOARD MINI HALF BRIDGE RoHS:否 类别:编程器,开发系统 >> 过时/停产零件编号 系列:- 标准包装:1 系列:- 传感器类型:CMOS 成像,彩色(RGB) 传感范围:WVGA 接口:I²C 灵敏度:60 fps 电源电压:5.7 V ~ 6.3 V 嵌入式:否 已供物品:成像器板 已用 IC / 零件:KAC-00401 相关产品:4H2099-ND - SENSOR IMAGE WVGA COLOR 48-PQFP4H2094-ND - SENSOR IMAGE WVGA MONO 48-PQFP
HIP2100EVAL2 功能描述:电源管理IC开发工具 HIP EVALRD 48VDC T CNTLR W/ON-CHIP MCU RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 产品:Evaluation Kits 类型:Battery Management 工具用于评估:MAX17710GB 输入电压: 输出电压:1.8 V
HIP2100IB 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP2100IBT 功能描述:功率驱动器IC TAPE AND REEL RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube