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参数资料
| 型号： | HIP2101EIB |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC |
| 标准包装： | 980 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 25ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 100V |
| 电源电压： | 9 V ~ 14 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 管件 |
HIP2101
Small Outline Plastic Packages (SOIC)
N
INDEX
AREA
H
0.25(0.010) M
B M
M8.15 (JEDEC MS-012-AA ISSUE C)
8 LEAD NARROW BODY SMALL OUTLINE PLASTIC
PACKAGE
E
INCHES
MILLIMETERS
-B-
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTES
1
2
3
L
A
A1
0.0532
0.0040
0.0688
0.0098
1.35
0.10
1.75
0.25
-
-
SEATING PLANE
B
0.013
0.020
0.33
0.51
9
-A-
D
A
h x 45 o
C
D
0.0075
0.1890
0.0098
0.1968
0.19
4.80
0.25
5.00
-
3
-C-
μ α
E
e
0.1497 0.1574
0.050 BSC
3.80 4.00
1.27 BSC
4
-
e
B
A1
0.10(0.004)
C
H
h
0.2284
0.0099
0.2440
0.0196
5.80
0.25
6.20
0.50
-
5
0.25(0.010) M
C A M
B S
L
0.016
0.050
0.40
1.27
6
NOTES:
1. Symbols are defined in the “MO Series Symbol List” in Section 2.2 of
N
α
0 o
8
8 o
0 o
8
8 o
7
-
Publication Number 95.
2. Dimensioning and tolerancing per ANSI Y14.5M - 1982.
3. Dimension “D” does not include mold flash, protrusions or gate burrs.
Mold flash, protrusion and gate burrs shall not exceed 0.15mm (0.006
inch) per side.
4. Dimension “E” does not include interlead flash or protrusions. Inter-
lead flash and protrusions shall not exceed 0.25mm (0.010 inch) per
side.
5. The chamfer on the body is optional. If it is not present, a visual index
feature must be located within the crosshatched area.
6. “L” is the length of terminal for soldering to a substrate.
7. “N” is the number of terminal positions.
8. Terminal numbers are shown for reference only.
9. The lead width “B”, as measured 0.36mm (0.014 inch) or greater
above the seating plane, shall not exceed a maximum value of
0.61mm (0.024 inch).
10. Controlling dimension: MILLIMETER. Converted inch dimensions
are not necessarily exact.
11
Rev. 0 12/93
FN9025.8
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| HIP2101EIBZT | 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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