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参数资料
| 型号： | HIP2101EIB |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC |
| 标准包装： | 980 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 25ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 100V |
| 电源电压： | 9 V ~ 14 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 管件 |
HIP2101
Pin Descriptions
SYMBOL
V DD
HB
HO
HS
HI
LI
V SS
LO
EPAD
DESCRIPTION
Positive Supply to lower gate drivers. De-couple this pin to V SS . Bootstrap diode connected to HB.
High-Side Bootstrap supply. External bootstrap capacitor is required. Connect positive side of bootstrap capacitor to this pin.
Bootstrap diode is on-chip.
High-Side Output. Connect to gate of High-Side power MOSFET.
High-Side Source connection. Connect to source of High-Side power MOSFET. Connect negative side of bootstrap capacitor to
this pin.
High-Side input.
Low-Side input.
Chip negative supply, generally will be ground.
Low-Side Output. Connect to gate of Low-Side power MOSFET.
Exposed pad. Connect to ground or float. The EPAD is electrically isolated from all other pins.
Timing Diagrams
LI
HI ,
LI
HI
t HPLH ,
t LPLH
t HPHL ,
t LPHL
LO
HO ,
LO
FIGURE 3.
Typical Performance Curves
4.000
HO
3.500
t MON
FIGURE 4.
t MOFF
3.500
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
0.500
150°C
125°C
25°C
-40°C
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
0.500
150°C, 125°C
25°C
-40°C
0.000
10
30
50
70
90
200 400
600
800
1000
0.000
10
30
50
70
90
200
400
600
800
1000
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 5A.
FIGURE 5. OPERATING CURRENT vs FREQUENCY
6
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 5B.
FN9025.8
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PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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| HIP2101EIB-T | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver |
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| HIP2101EIBZT | 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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