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参数资料
| 型号： | HIP2101EIB |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC |
| 标准包装： | 980 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 25ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 100V |
| 电源电压： | 9 V ~ 14 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 管件 |
HIP2101
Typical Performance Curves
10
(Continued)
500
V HB = V DD = 9V
400
V HB = V DD = 12V
1
T = 150°C
T = -40°C
T = 125°C
T = 25°C
300
V HB = V DD = 14V
0.1
200
0.01
10
100
1000
100
-50
0
50
100
150
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 6. HB TO VSS OPERATING CURRENT vs
FREQUENCY
500
V HB = V DD = 9V
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7. HIGH LEVEL OUTPUT VOLTAGE vs TEMPERATURE
7.6
7.4
400
V HB = V DD = 12V
V HB = V DD = 14V
V DDR
7.2
300
7.0
V HBR
200
6.8
100
-50
0
50
100
150
6.6
-50
0
50
100
150
0.54
0.5
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8. LOW LEVEL OUTPUT VOLTAGE vs
TEMPERATURE
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 9. UNDERVOLTAGE LOCKOUT THRESHOLD vs
TEMPERATURE
30
t HPHL
t HPLH
0.46
V DDH
25
t LPHL
t LPLH
0.42
0.38
0.34
V HBH
20
0.3
-50
0
50
100
150
15
-50
0
50
100
150
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 10. UNDERVOLTAGE LOCKOUT HYSTERESIS vs
TEMPERATURE
7
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 11. PROPAGATION DELAYS vs TEMPERATURE
FN9025.8
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PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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| HIP2101EIB-T | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver |
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| HIP2101EIBZT | 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2101EIBZ-T | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver |
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