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参数资料
| 型号： | HIP2101EIB |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC |
| 标准包装： | 980 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 25ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 100V |
| 电源电压： | 9 V ~ 14 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 管件 |
HIP2101
Pinouts
HIP2101 (SOIC, EPSOIC)
TOP VIEW
HIP2101IR4 (DFN)
TOP VIEW
HIP2101 (QFN)
TOP VIEW
V DD
HB
HO
HS
1
2
3
4
EPAD
8
7
6
5
LO
V SS
LI
HI
V DD
NC
NC
HB
1
2
3
4
EPAD
12 LO
11 V SS
10 NC
9 NC
NC 1
HB 2
16
15 14
EPAD
13
12 NC
11 V SS
HO
5
8
LI
HO 3
10 LI
HS
6
7
HI
NC 4
9
NC
5
6
7
8
NOTE: EPAD = Exposed PAD.
Application Block Diagram
+12V
V DD
HB
+100V
SECONDARY
CIRCUIT
PWM
HI
DRIVE
HI
HO
HS
CONTROLLER
LI
DRIVE
LO
LO
REFERENCE
2
HIP2101
V SS
AND
ISOLATION
FN9025.8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-B4Z-CX-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 2V 30W |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HIP2101EIBT | 功能描述:IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| HIP2101EIB-T | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver |
| HIP2101EIBZ | 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2101EIBZT | 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2101EIBZ-T | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver |
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