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参数资料
| 型号： | HM5165405LTT-5 |
| 厂商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO32 |
| 封装： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 |
| 文件页数： | 12/35页 |
| 文件大小： | 377K |
| 代理商： | HM5165405LTT-5 |
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HM5164405 Series, HM5165405 Series
2
CBR/Hidden refresh
4096 cycles
/64 ms (HM5164405, HM5165405)
/128 ms (HM5164405L, HM5165405L) (L-version)
4 variations of refresh
#$-only refresh
$-before-#$ refresh
Hidden refresh
Self refresh (L-version)
Battery backup operation (L-version)
Ordering Information
Type No.
Access time
Package
HM5164405J-5
HM5164405J-6
50 ns
60 ns
400-mil 32-pin plastic SOJ
(CP-32DC)
HM5164405LJ-5
HM5164405LJ-6
50 ns
60 ns
HM5165405J-5
HM5165405J-6
50 ns
60 ns
HM5165405LJ-5
HM5165405LJ-6
50 ns
60 ns
HM5164405TT-5
HM5164405TT-6
50 ns
60 ns
400-mil 32-pin plastic TSOP II
(TTP-32DC)
HM5164405LTT-5
HM5164405LTT-6
50 ns
60 ns
HM5165405TT-5
HM5165405TT-6
50 ns
60 ns
HM5165405LTT-5
HM5165405LTT-6
50 ns
60 ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5165805FLJ-5 | 8M X 8 EDO DRAM, 50 ns, PDSO32 |
| HM51S4265DTT-6 | 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40 |
| HM55-21R47 | 1 ELEMENT, 0.47 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| HM628127HLJP-25 | 128K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, PDSO32 |
| HM62W8128DLR-7 | STANDARD SRAM, PDSO32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HM51680J | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 5% 1KHz 3.3A AXL |
| HM51-680J | 制造商:BI Technologies (TT electronics) 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 5% 1KHz 3.3A AXL |
| HM51-680JLF | 制造商:BITECH 制造商全称:Bi technologies 功能描述:Axially Leaded Miniature Power Inductors |
| HM51680K | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 10% 1KHz 3.3A AXL |
| HM51-680K | 制造商:BI Technologies (TT electronics) 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 10% 1KHz 3.3A AXL |
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