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参数资料
| 型号： | HMBT3906 |
| 厂商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 进步党外延平面晶体管 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | HMBT3906 |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6820
Issued Date : 1993.06.30
Revised Date : 2002.10.25
Page No. : 2/3
HMBT3906
HSMC Product Specification
Characteristics Curve
Current Gain & Collector Current
10
100
1000
1
10
100
1000
Collector Current-I
C
(mA)
h
hFE @ V
CE
=1V
25
o
C
75
o
C
125
o
C
Saturation Voltage & Collector Current
10
100
1000
1
10
100
1000
Collector Current-I
C
(mA)
S
V
CE(sat)
@ I
C
=10I
B
25
o
C
75
o
C
125
o
C
Saturation Voltage & Collector Current
100
1000
10000
1
10
100
1000
Collector Current-I
C
(mA)
S
V
BE(sat)
@ I
C
=10I
B
25
o
C
75
o
C
125
o
C
Cutoff Frequency & Collector Current
10
100
1000
1
10
Collector Current (mA)
100
1000
C
fT @ V
CE
=20V
Capacitance & Reverse-Biased Voltage
1
10
100
0.1
1
10
100
Reverse Biased Voltage (V)
C
Cob
Safe Operating Area
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
1
10
100
Forward Voltage (V)
C
PT=1ms
PT=100ms
PT =1s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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