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参数资料
| 型号： | HMBT5551 |
| 厂商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR(for general purpose applications requiring high Breakdown Voltages ) |
| 中文描述： | 瑞展晶体管（一般用途的应用需要高击穿电压） |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | HMBT5551 |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6838
Issued Date : 1994.07.29
Revised Date : 2002.10.25
Page No. : 2/3
HMBT5551
HSMC Product Specification
Characteristics Curve
Current Gain & Collector Current
1
10
100
1000
1
10
100
1000
Collector Current-I
C
(mA)
h
hFE @ V
CE
=5V
25
o
C
75
o
C
125
o
C
Saturation Voltage & Collector Current
10
100
1000
10000
100000
0.1
1
10
100
1000
Collector Current-I
C
(mA)
S
V
CE(sat)
@ I
C
=10I
B
25
o
C
75
o
C
125
o
C
Saturation Voltage & Collector Current
100
1000
0.1
1
10
100
1000
Collector Current-I
C
(mA)
S
V
BE(sat)
@ I
C
=10I
B
25
o
C
75
o
C
125
o
C
Capacitance & Reverse-Biased Voltage
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
Reverse Biased Voltage (V)
C
Cob
Cutoff Frequency & Collector Current
10
100
1000
1
10
100
Collector Current (mA)
C
V
CE
=10V
Safe Operating Area
1
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
Forward Biased Voltage-V
CE
(V)
C
C
PT=1ms
PT=100ms
PT=1s
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PDF描述 |
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