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参数资料
| 型号： | HMBT6427 |
| 厂商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶体管 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | HMBT6427 |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6846
Issued Date : 1995.07.21
Revised Date : 2002.10.25
Page No. : 2/3
HMBT6427
HSMC Product Specification
Characteristics Curve
Current Gain & Collector Current
10000
100000
0.1
1
10
100
1000
Collector Current (mA)
h
V
CE
=5V
Saturation Voltage & Collector Current
0.1
1
10
0.1
1
10
100
1000
Collector Current (mA)
S
V
BE(sat)
@ I
C
=1000I
B
V
CE(sat)
@ I
C
=1000I
B
V
CE(sat)
@ I
C
=100I
B
On Voltage & Collector Current
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
Collector Current (mA)
O
V
BE(ON)
@ V
CE
=5V
Capacitance & Reverse-Biased Voltage
0.1
1
10
0.1
1
10
100
Reverese-Biased Voltage (V)
C
Cob
Safe Operating Area
1
10
100
1000
10000
1
10
100
Forward Voltage (V)
C
PT=1ms
PT=100ms
PT=1s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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