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参数资料
| 型号： | HMBT6517 |
| 厂商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶体管 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | HMBT6517 |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6836
Issued Date : 1994.07.20
Revised Date : 2002.10.25
Page No. : 2/3
HMBT6517
HSMC Product Specification
Characteristics Curve
Current Gain & Collector Current
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
Collector Current (mA)
h
hFE @ V
CE
=10V
Saturation Voltage & Collector Current
10
100
1000
10000
100000
0.1
1
10
100
1000
Collector Current (mA)
S
V
BE(sat)
@ I
C
=10I
B
V
CE(sat)
@ I
C
=10I
B
On Voltage & Collector Current
100
1000
10000
1
10
Collector Current (mA)
100
1000
O
V
BE(on)
@ V
CE
=10V
Capacitance & Reverse-Biased Voltage
1
10
0.1
1
10
100
Reverse-Biased Voltage (V)
C
Cob
Cutoff Frequency & Collector Current
10
100
1
10
100
Collector Current (mA)
C
V
CE
=20V
Safe Operating Area
1
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
Forward Voltage-V
CE
(V)
C
C
(
PT=1ms
PT=100ms
PT=1s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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