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参数资料
| 型号： | HMJE3055T |
| 厂商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶体管 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | HMJE3055T |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HMJE3055T
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Spec. No. : HE6737-A
Issued Date : 1993.09.24
Revised Date : 1999.08.01
Page No. : 1/3
HSMC Product Specification
Description
The HMJE3055T is designed for general purpose of amplifier and
switching applications.
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25
°
C)
Maximum Temperature
Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150
°
C
Junction Temperature..................................................................................... 150
°
C Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Tc=25
°
C).................................................................................... 75 W
Total Power Dissipation (Ta=25
°
C)................................................................................... 0.6 W
Maximum Voltages and Currents (Ta=25
°
C)
BVCBO Collector to Base Voltage...................................................................................... 70 V
BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................... 60 V
BVEBO Emitter to Base Voltage........................................................................................... 5 V
IC Collector Current ........................................................................................................... 10 A
IB Base Current.................................................................................................................... 6 A
Characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICBO
ICEX
ICEO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VBE(on)
*hFE1
*hFE2
fT
Min.
60
70
5
-
-
-
-
-
-
-
20
5
2
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
1.
1.
700
5
1.1
8.0
1.8
100
-
-
Unit
V
V
V
mA
mA
uA
mA
V
V
V
Test Conditions
IC=200mA, IB=0
IC=10mA, IE=0
IE=10mA, IC=0
VCB=70V, IE=0
VCE=70V, VEB(off)=1.5V
VCE=30V, IB=0
VEB=5V, IC=0
IC=4A, IB=400mA
IC=10A, IB=3.3A
IC=4A, VCE=4V
IC=4A, VCE=4V
IC=10A, VCE=4V
VCE=10V, IC=500mA, f=0.5MHz
*Pulse Test : Pulse Width
≤
380us, Duty Cycle
≤
2%
MHz
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