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参数资料
| 型号： | HMJE3055T |
| 厂商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶体管 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | HMJE3055T |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6737-A
Issued Date : 1993.09.24
Revised Date : 1999.08.01
Page No. : 2/3
HSMC Product Specification
Characteristics Curve
Current Gain & Collector Current
10
100
1
10
100
1000
10000
Collector Current (mA)
h
hFE @ V
CE
=4V
Saturation Voltage & Collector Current
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
10000
Collector Current (mA)
S
V
BE (sat)
@ I
C
=10I
B
V
CE (sat)
@ I
C
=10I
B
On Voltage & Collector Current
100
1000
10000
1
10
100
1000
10000
Collector Current (mA)
O
V
BE (on)
@ V
CE
=4V
Switching Time & Collector Current
0.01
0.1
1
10
0.1
1.0
10.0
Collector Current (A)
S
Ton
Tstg
Tf
Capacitance & Reverse-Biased Voltage
10
100
1000
0.1
1
10
100
Reverse-Biased Voltage (V)
C
Cob
Safe Operating Area
1
10
100
1000
10000
100000
1
10
100
1000
Forward Voltage-V
CE
(V)
C
C
P
T
=1 ms
P
T
=100 ms
P
T
=1 s
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