参数资料
型号: HUF75631P3
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 6/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
标准包装: 400
系列: UltraFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 33A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 40 毫欧 @ 33A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 79nC @ 20V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1220pF @ 25V
功率 - 最大: 120W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
HUF75631S3S
Test Circuits and Waveforms
V DS
BV DSS
L
t P
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
V GS
R G
+
-
V DD
I AS
V DD
DUT
0V
t P
I AS
0.01 ?
0
t AV
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
V DS
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
V GS
R L
+
V DD
V DS
Q g(10)
Q g(TOT)
V GS = 20V
I g(REF)
DUT
-
V DD
0
V GS
V GS = 2V
Q g(TH)
Q gs
Q gd
V GS = 10V
I g(REF)
0
FIGURE 16. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 17. GATE CHARGE WAVEFORMS
V DS
R L
V DS
t ON
t d(ON)
90%
t r
t OFF
t d(OFF)
t f
90%
V GS
+
-
V DD
0
10%
10%
R GS
DUT
90%
V GS
50%
50%
V GS
FIGURE 18. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
0
10%
PULSE WIDTH
FIGURE 19. SWITCHING TIME WAVEFORM
HUF75631S3S Rev. C0
相关PDF资料
PDF描述
HUF75639S3 MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA
HUF75645S3S MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
HUF75652G3 MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
HUF75842P3 MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
HUF75852G3 MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
相关代理商/技术参数
参数描述
HUF75631S3S 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
HUF75631S3ST 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
HUF75631SK8 功能描述:MOSFET USE 512-FDS3682 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
HUF75631SK8T 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
HUF75631SK8T_NB82083 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: