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参数资料
| 型号： | HUF76629D3S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 20A DPAK |
| 标准包装： | 1,800 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1285pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
HUF76629D3S
Typical Performance Curves
(Continued)
1.4
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
I D = 250 μ A
1.2
1.1
1.0
0.8
1.0
0.6
0.4
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 11. NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE vs
JUNCTION TEMPERATURE
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 12. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
10
3000
1000
100
C OSS ? C DS + C GD
V GS = 0V, f = 1MHz
C ISS = C GS + C GD
8
6
4
V DD = 50V
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
C RSS = C GD
2
0
I D = 20A
I D = 10A
10
0
10
20 30
40
0.1
1.0
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 13. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
250
V GS = 4.5V, V DD = 50V, I D = 20A
200
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 14. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT
GATE CURRENT
300
V GS = 10V, V DD = 50V, I D = 20A
250
150
100
t f
t r
200
150
100
t d(OFF)
t f
50
t d(OFF)
50
t r
0
t d(ON)
0
t d(ON)
0
10 20 30 40
50
0
10 20 30 40
50
R GS , GATE TO SOURCE RESISTANCE ( ? )
FIGURE 15. SWITCHING TIME vs GATE RESISTANCE
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
R GS , GATE TO SOURCE RESISTANCE ( ? )
FIGURE 16. SWITCHING TIME vs GATE RESISTANCE
HUF76629D3S Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VN2222LLRLRA | MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92 |
| 3682S-1-202L | POT 2.0K OHM CERM 2W +/-100 PPM |
| ASA1-72.000MHZ-L-T | OSC 72.000 MHZ 2.5V SMD |
| 2-1624200-0 | POT 2.5K OHM 1W 10% TOP SLOT |
| B32559C8152K289 | CAP FILM 1500PF 630VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF76629D3ST | 功能描述:MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF76629D3ST_F085 | 功能描述:MOSFET N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 100V, 20A, 52m RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 晶体管极性: 汲极/源极击穿电压: 闸/源击穿电压: 漏极连续电流: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 配置: 最大工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| HUF76629D3ST_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF76629D3ST_SB82250 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:FSCHUF76629D3ST_SB82250 ULTRAFET POWER M |
| HUF76629D3STNL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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