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参数资料
| 型号： | HUF76629D3S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 20A DPAK |
| 标准包装： | 1,800 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1285pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
HUF76629D3S
SPICE Thermal Model
REV 26 July 1999
HUF76629D3
CTHERM1 th 6 2.45e-3
CTHERM2 6 5 8.15e-3
CTHERM3 5 4 7.40e-3
CTHERM4 4 3 7.45e-3
CTHERM5 3 2 1.01e-2
CTHERM6 2 tl 7.49e-2
RTHERM1 th 6 9.00e-3
RTHERM2 6 5 1.80e-2
RTHERM3 5 4 9.15e-2
RTHERM4 4 3 2.43e-1
RTHERM5 3 2 3.50e-1
RTHERM6 2 tl 3.62e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model HUF76629D3
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 = 2.45e-3
ctherm.ctherm2 6 5 = 8.15e-3
ctherm.ctherm3 5 4 = 7.40e-3
ctherm.ctherm4 4 3 = 7.45e-3
ctherm.ctherm5 3 2 = 1.01e-2
ctherm.ctherm6 2 tl = 7.49e-2
rtherm.rtherm1 th 6 = 9.00e-3
rtherm.rtherm2 6 5 = 1.80e-2
rtherm.rtherm3 5 4 = 9.15e-2
rtherm.rtherm4 4 3 = 2.43e-1
rtherm.rtherm5 3 2 = 3.50e-1
rtherm.rtherm6 2 tl = 3.62e-1
}
RTHERM1
RTHERM2
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
RTHERM6
th
6
5
4
3
2
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM2
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
CTHERM6
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
tl
CASE
HUF76629D3S Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VN2222LLRLRA | MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92 |
| 3682S-1-202L | POT 2.0K OHM CERM 2W +/-100 PPM |
| ASA1-72.000MHZ-L-T | OSC 72.000 MHZ 2.5V SMD |
| 2-1624200-0 | POT 2.5K OHM 1W 10% TOP SLOT |
| B32559C8152K289 | CAP FILM 1500PF 630VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF76629D3ST | 功能描述:MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF76629D3ST_F085 | 功能描述:MOSFET N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 100V, 20A, 52m RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 晶体管极性: 汲极/源极击穿电压: 闸/源击穿电压: 漏极连续电流: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 配置: 最大工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| HUF76629D3ST_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF76629D3ST_SB82250 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:FSCHUF76629D3ST_SB82250 ULTRAFET POWER M |
| HUF76629D3STNL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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