- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录175463 > HUFA75307T3ST (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 2.6A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | HUFA75307T3ST |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2.6A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET |
| 中文描述： | 2.6 A, 55 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | HUFA75307T3ST |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUFA75307T3ST Rev. B
SPICE Thermal Model
REV 15 Nov 97
HUFA75307T3ST
CTHERM1 7 6 7.5e-5
CTHERM2 6 5 3.5e-4
CTHERM3 5 4 1.2e-3
CTHERM4 4 3 1.5e-2
CTHERM5 3 2 6.9e-2
CTHERM6 2 1 4.5e-1
RTHERM1 7 6 7.5e-2
RTHERM2 6 5 2.0e-1
RTHERM3 5 4 1.2
RTHERM4 4 3 3.3
RTHERM5 3 2 28
RTHERM6 2 1 90
RTHERM4
RTHERM6
RTHERM5
RTHERM3
RTHERM2
RTHERM1
CTHERM4
CTHERM6
CTHERM5
CTHERM3
CTHERM2
CTHERM1
1
2
3
4
5
6
7
JUNCTION
CASE
HUFA75307T3ST
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUFA75309D3 | 19A, 55V, 0.070 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
| HUFA75309D3S | 19A, 55V, 0.070 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
| HUFA75309P3 | 19A, 55V, 0.070 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
| HUFA75309T3ST | 3A, 55V, 0.070 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET |
| HUFA75321D3 | 20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUFA75309D3 | 功能描述:MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75309D3S | 功能描述:MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75309D3ST | 功能描述:MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75309P3 | 功能描述:MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75309T3ST | 功能描述:MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。