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参数资料
| 型号： | HUFA76409D3ST |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 63 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 485pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 49W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
HUFA76409D3, HUFA76409D3ST
Typical Performance Curves
(Continued)
1.2
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
I D = 250 μ A
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
0.4
0.9
-80
-40
0 40 80 120 160
200
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 11. NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE vs
JUNCTION TEMPERATURE
2000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 12. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
10
1000
C ISS = C GS + C GD
8
V DD = 30V
6
100
C OSS ? C DS + C GD
4
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
2
I D = 17A
I D = 12A
10
V GS = 0V, f = 1MHz
C RSS = C GD
0
I D = 7A
0.1
1.0 10
60
0
3
6 9
12
15
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 13. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
150
V GS = 4.5V, V DD = 30V, I D = 8A
120
t r
90
Q g , GATE CHARGE (nC)
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 14. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT
GATE CURRENT
100
V GS = 10V, V DD = 30V, I D = 18A
80
60
60
30
t f
t d(OFF)
t d(ON)
40
20
t f
t d(OFF)
t r
t d(ON)
0
0
0
10
20
30
40
50
0
10 20 30 40
50
R GS , GATE TO SOURCE RESISTANCE ( ? )
FIGURE 15. SWITCHING TIME vs GATE RESISTANCE
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
R GS , GATE TO SOURCE RESISTANCE ( ? )
FIGURE 16. SWITCHING TIME vs GATE RESISTANCE
HUFA76409D3, HUFA76409D3ST Rev. A1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| HY 20-P | CURRENT TRANSDUCERS 20A 15V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUFA76409D3ST_B76008A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:FSCHUFA76409D3ST_B76008A N- CHANNEL MOSF |
| HUFA76409P3 | 功能描述:MOSFET 17a 60V N-Channel Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA76409T3ST | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUFA76413D3 | 功能描述:MOSFET 20a 60V 0.056 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA76413D3S | 功能描述:MOSFET 20a 60V 0.056 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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