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参数资料
| 型号： | HY29LV320TF-90 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32 Mbit (2M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA63 |
| 封装： | 7 X 11 MM, FBGA-63 |
| 文件页数： | 39/44页 |
| 文件大小： | 323K |
| 代理商： | HY29LV320TF-90 |
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r1.3/May 02
HY29LV320
Note:
For Sector Group Protect, A[6] = 0, A[1] = 1, A[0] = 0. For Sector Unprotect, A[6] = 1, A[1] = 1, A[0] = 0.
Figure 26. Sector Group Protect and Sector Unprotect Timings
AC CHARACTERISTICS
V
ID
V
IH
RESET#
Don't Care
Valid *
Valid *
Valid *
SGA, A[6],
A[1], A[0]
0x60
0x60
0x40
Status
Data
CE#
WE#
OE#
t
VRST
t
PROT
or t
UNPR
Sector Group Protect/
Sector Unprotect
Verify
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
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Notes:
1. Not 100% tested.
2. See Programming and Erase Operations table for Erase, Program and Endurance characterisitics.
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